IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕(jue)緣柵雙(shuang)極(ji)型(xing)晶體管是由BJT(雙(shuang)極(ji)型(xing)三極(ji)管)和(he)MOS(絕(jue)緣柵型(xing)場效(xiao)應管)組成(cheng)的(de)(de)復合(he)全控型(xing)電(dian)壓驅動式功(gong)(gong)率(lv)半導體器件， 兼有(you)MOSFET的(de)(de)高輸入阻抗和(he)GTR的(de)(de)低(di)導通(tong)壓降兩方面的(de)(de)優點。GTR飽和(he)壓降低(di)，載流密度大(da)，但(dan)驅動電(dian)流較大(da)；MOSFET驅動功(gong)(gong)率(lv)很(hen)小，開關(guan)速(su)度快，但(dan)導通(tong)壓降大(da)，載流密度小。IGBT綜合(he)了以上兩種(zhong)器件的(de)(de)優點，驅動功(gong)(gong)率(lv)小而(er)飽和(he)壓降低(di)。非常適合(he)應用于(yu)直流電(dian)壓為600V及以上的(de)(de)變(bian)流系統如交(jiao)流電(dian)機、變(bian)頻器、開關(guan)電(dian)源、照(zhao)明電(dian)路、牽引(yin)傳動等(deng)領域。

  在(zai)IGBT得到(dao)大(da)(da)力(li)發展之前(qian)，功率場效應管MOSFET被(bei)用于需要快(kuai)(kuai)速(su)開關(guan)的(de)(de)中(zhong)(zhong)低壓(ya)場合(he)，晶閘(zha)管、GTO被(bei)用于中(zhong)(zhong)高(gao)壓(ya)領域。MOSFET雖然(ran)有開關(guan)速(su)度快(kuai)(kuai)、輸(shu)入阻(zu)抗高(gao)、熱穩定性(xing)(xing)好(hao)、驅(qu)動電(dian)(dian)路簡單的(de)(de)優點(dian);但(dan)是，在(zai)200V或更高(gao)電(dian)(dian)壓(ya)的(de)(de)場合(he)，MOSFET的(de)(de)導(dao)通電(dian)(dian)阻(zu)隨著(zhu)擊(ji)穿電(dian)(dian)壓(ya)的(de)(de)增(zeng)加會迅速(su)增(zeng)加，使(shi)得其功耗大(da)(da)幅增(zeng)加，存(cun)在(zai)著(zhu)不能得到(dao)高(gao)耐壓(ya)、大(da)(da)容(rong)量元件等缺陷。雙(shuang)極晶體管具有優異的(de)(de)低正向導(dao)通壓(ya)降特性(xing)(xing)，雖然(ran)可(ke)以得到(dao)高(gao)耐壓(ya)、大(da)(da)容(rong)量的(de)(de)元件，但(dan)是它要求的(de)(de)驅(qu)動電(dian)(dian)流(liu)大(da)(da)，控制(zhi)電(dian)(dian)路非常復雜，而且交(jiao)換速(su)度不夠快(kuai)(kuai)。

  IGBT正是作(zuo)為(wei)順應(ying)這種要求(qiu)而(er)開發(fa)的(de)，它是由MOSFET(輸入級(ji))和PNP晶(jing)體管(輸出(chu)級(ji))復合(he)而(er)成的(de)一種器(qi)件，既有(you)(you)MOSFET器(qi)件驅動功率(lv)(lv)小(xiao)和開關速度快的(de)特(te)點(dian)(控制和響應(ying))，又有(you)(you)雙極型器(qi)件飽和壓降低(di)而(er)容(rong)量(liang)大(da)的(de)特(te)點(dian)(功率(lv)(lv)級(ji)較為(wei)耐用)，頻(pin)率(lv)(lv)特(te)性介于MOSFET與功率(lv)(lv)晶(jing)體管之間，可(ke)正常工作(zuo)于幾(ji)十KHz頻(pin)率(lv)(lv)范圍內。基于這些優(you)異的(de)特(te)性，IGBT一直廣(guang)泛使用在超過300V電(dian)壓的(de)應(ying)用中，模(mo)塊(kuai)化的(de)IGBT可(ke)以滿足更(geng)高的(de)電(dian)流傳導要求(qiu)，其應(ying)用領域不斷提高，今后將有(you)(you)更(geng)大(da)的(de)發(fa)展。